Samsung stellt neuen LPDDR4-Arbeitsspeicher vor

Samsung hat seinen neuen 8Gb LPDDR4 Mobile DRAM offiziell vorgestellt. Mit der Weiterentwicklung des Arbeitsspeichers für mobile Devices sind in Zukunft problemlos 4GB Arbeitsspeicher in einem Smartphone möglich. Einer der ersten Kandidaten für einen solchen Arbeitsspeicher wird sicherlich das kommende Samsung GALAXY S5 sein. Damit dürften die Südkoreaner einen weiteren Schritt in die Zukunft getan haben, denn auch bei den Prozessoren steht mit dem Exynos 6 der nächste Kracher vor der Tür.  

Samsung hat nun als erster Hersteller einen 8 Gb LPDDR4 DRAM Chip vorgestellt, der in zukünftigen Smartphones zum Einsatz kommen soll. Mit acht Gigabit LPDDR4 pro 1GB RAM die bietet der im 20nm-Verfahren hergestellte Chip die bisher höchste Speicherdichte in mobilem Arbeitsspeicher. Bei einer elektrischen Spannung von 1,1 Volt soll der neue LPDDR4-DRAM an die 50 Prozent mehr Leistung als der LPDDR3 liefern und das bei ca. 40 Prozent weniger Energieverbrauch.

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Bereits jetzt ist Samsung im Bereich der 4 Gb und 6 Gb LPDDR3 RAM-Produktion Marktführer, mit dem neuen Chip will man ab sofort vier 8 Gb-Chips zu einem 4 GB großen LPDDR4-Modul bündeln, welches in High-End-Smartphones und Tablets zum Einsatz kommen soll. Das dürfte so ziemlich jedes Oberklasse-Gerät des Jahres 2014 werden, inklusive dem kommenden Samsung GALAXY S5.

Samsung GALAXY S5 mit 4GB RAM?

"This next-generation LPDDR4 DRAM will contribute significantly to faster growth of the global mobile DRAM market, which will soon comprise the largest share of the entire DRAM market," said Young-Hyun Jun, executive vice president, memory sales & marketing, Samsung Electronics. “We will continue introducing the most advanced mobile DRAM one step ahead of the rest of the industry so that global OEMs can launch innovative mobile devices with exceptional user convenience in the timeliest manner.”

Samsung’s new high-speed 8Gb LPDDR4 mobile DRAM will provide the highest level of density, performance and energy efficiency for mobile memory applications, enabling end users to have faster, more responsive applications, more advanced features, and higher resolution displays while maximizing battery life.

The 8Gb LPDDR4 is fabricated on 20-nanometer (nm) class* process technology, and offers 1 gigabyte (GB) on a single die, which is the largest density available for DRAM components today. With four of the 8Gb chips, a single 4GB LPDDR4 package can provide the highest level of performance available today.

In addition, Samsung’s new 8Gb LPDDR4 uses a Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O interface, which was originally proposed by Samsung to JEDEC and has become a standard specification for LPDDR4 DRAM. Based on this new interface, the LPDDR4 chip will enable a data transfer rate per pin of 3,200 megabits per second (Mbps), which is twice that of the 20nm-class LPDDR3 DRAM now in mass production. Overall, the new LPDDR4 interface will provide 50 percent higher performance than the fastest LPDDR3 or DDR3 memory. Also, it consumes approximately 40 percent less energy at 1.1 volts.

With the new chip, Samsung will focus on the premium mobile market including large screen UHD smartphones, tablets and ultra-slim notebooks that offer four times the resolution of full-HD imaging, and also on high-performance network systems.

Samsung is leading mobile DRAM technology development and is the leader in mobile DRAM market share with its 4Gb and 6Gb LPDDR3. It started offering the thinnest and smallest 3GB LPDDR3 (6Gb) package solutions in November and will provide its new 8Gb LPDDR4 DRAM in 2014. The 8Gb mobile DRAM chip will rapidly expand the market for high-density DRAM in next-generation mobile devices.

Quelle: Samsung Tomorrow